氧化鎵Ga2O3比起GaN還具發展潛力
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氧化鎵Ga2O3也是第三代半導體之一，比起GaN還具發展潛力。
在2002年5月，Lester F. Eastman和Umesh K. Mishra在IEEE Spectrum曾提出了當時功率
半導體領域一項長期發展的技術：氮化鎵（GaN）的論據。他們對GaN在當時新生的寬頻無
線網路、雷達以及用於電網的電源開關應用中之前景表示相當樂觀。並將GaN器件稱為“
迄今為止最堅固的電晶體”。
如今，GaN已成為固態射頻功率應用領域無可爭議的冠軍，它也已經出現在雷達、5G無線
領域，並很快將在電動車中使用的功率逆變器中普及。現在，人們甚至可以隨意購買基於
GaN器件設計的USB充電器，在其緊湊的尺寸中，提供了顯著的高功率水準。
不過，隨著透明的導電氧化物──氧化鎵（Ga2O3）出現，這讓這一情況變得可能。憑藉
著氧化鎵Ga2O3在接近5電子伏特的寬能隙(WBG)，領先GaN（3.4eV），也比矽（1.1eV）更
具有大幅度優勢。雖然金剛石和氮化鋁的能隙比較大，但它們不具有氧化鎵的特性，那就
是可以製造出廉價但功能強大的器件。
簡單來說，僅僅只有材料具有寬帶隙是不夠的，例如：所有電介質和陶瓷都擁有更大寬帶
隙，但是其只能用作絕緣體。但是氧化鎵具有獨特的品質組合，使其有用，可作為功率開
關和RF電子設備的材料候選人。
在對半導體至關重要的五個特性中，高臨界電場強度是β-氧化鎵的最大優勢。這有助於
打造出高壓開關，也可能意味著可設計出功能強大的RF設備。但是，β-氧化鎵的最大缺
點是導熱係數低，這意味著熱量可能會滯留在設備內部。
此外，氧化鎵還有一個不錯的特性，藉由摻雜（Doping）流程可以向其添加電荷載流子，
增加其導電性。氧化鎵可以採用現存已建立的商業光刻和加工技術，以離子注入的標準製
程，以及在外延生長過程中沉積的雜質來添加摻雜劑。
氧化鎵的另一個優點，就是在大型晶圓之結晶的氧化鎵實際上非常容易製造。日本的
Novel Crystal Technology公司已經展示了150毫米的β-氧化鎵晶片。
在日本資訊和通訊技術（NICT）研究所的Masataka Higashiwaki，是第一個意識到β-氧
化鎵在電源開關應用中具有潛力的人。其於2012年報告，有關於首顆單結晶的β-氧化鎵
電晶體後，震驚了整個功率器件領域。
儘管這些進展令人鼓舞，但氧化鎵不太可能，在每種射頻應用中挑戰GaAs或GaN。
此外，有幾個問題必須克服，首先是Ga2O3導熱性不好；其次是只能使氧化鎵傳導電子而
不是電洞。不過，專家認為Ga2O3性能潛力仍大大超過了其問題，所以仍是值得關注的技
術。