聯電（2303）產能供不應求，今年資本支出大增五成至15億美元。聯電表示，今年多數資
本支出將用於擴建南科P5廠，主要以12吋28奈米以下製程為主，聚焦5G智慧手機、數據中
心邊緣運算、電動車與自動駕駛等，發展所需的各式晶圓特殊製程技術及產能布建。
聯電去年營運大翻身，獲利創14年新高，每股純益為20年新高，今年受惠智慧手機、遠距
應用及車用電子等需求暢旺，聯電產能利用率維持滿載。
為了滿足客戶強勁需求，聯電今年資本支出將達15億美元，較去年的10億美元增加50%，
其中，85%的資本支出將投入12吋廠，主要以28奈米以下製程為主，15%的資本支出投資8
吋廠。
聯電共同總經理王石先前表示，預估今年28奈米的營收貢獻將由去年14%佔比大幅提高到
25%，這代表聯電今年營收與獲利將持續成長。
日前聯電董事長洪嘉聰強調，聯電未來三年仍會加碼投資台灣，擬擴充南科台南廠的產能
。洪嘉聰指出，聯電擁有成熟先進製程，目前在全球已獲半導體專利權總件數達1萬4,000
件，同時聯電秉持根留台灣、深耕台灣的初衷，近十年資本支出累計投資金額達3,500億
元。
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