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2021-08-03 00:54 經濟日報 / 記者林宸誼／台北報導
面對美國在半導體領域不斷打壓，大陸欲藉第三代半導體技術來彎道超車美國，彭博報導
，大陸不僅決定投資人民幣10兆元（約新台幣43兆元）在第三代半導體材料的研發及生產
，並首次寫入「十四五」規劃中，顯示未來五年將是發展第三代半導體的關鍵時刻。
與第一代半導體材料矽（Si）、鍺（Ge），和第二代半導體材料砷化鎵（GaAs）、磷化銦
（InP）相比，第三代半導體材料為氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）具有更好的物理和化
學特性，同時具有散熱迅速、耐高電壓、高電流的特性等特性。
因此第三代半導體材料多用在5G基地台、快速充電以及電動車、軌道交通等產品上。
由大陸科技部、工信部支持，科研機構、大專院校、龍頭企業發起籌建的「第三代半導體
產業技術創新戰略聯盟」（CASA），於今年6月發布的「第三代半導體產業發展報告2020
」白皮書顯示，去年大陸第三代半導體整體產值超過人民幣7,100億元（約新台幣3兆元）
。
其中，半導體照明整體產值約人民幣7,013億元，受新冠疫情影響較2019年下降7.1%；碳
化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子產值規模達人民幣44.7億元，年增54%；GaN微波射
頻產值達到人民幣60.8億元，年增80.3%。
事實上，大陸第三代半導體企業包括中芯國際、韋爾股份、卓勝微、天科合達、同光晶體
、泰科天潤、三安光電、英諾賽科等紛紛擴產，預告大陸第三代半導體產業開始進入擴張
期。
半導體產業專家、前漢磊科技總經理莊淵棋認為，美國在第三代半導體材料科學中，是遙
遙領先全世界，但在科技屢遭美國打壓下，大陸必須要找出路，大陸內需市場大，行業初
期有國家補助，所以可以自成一套系統。
莊淵棋表示，目前半導體所使用的材料仍以矽為主，有製程成熟度高、成本低等優點，然
而在需耐高電壓及高溫、高功率、高頻運作等應用場景，矽基半導體已面臨極限，反而不
如第三代半導體材料的氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）產品表現優異。
莊淵棋解釋，以碳化矽（SiC）來說，優勢在於包括寬能隙、擊穿電場強度大、電子飽和
移動速度快、熱傳導率快等，所以在嚴苛環境下也能穩定操作，尤其可以應用在5G、軌道
交通、太陽能、電動車等。
台灣經濟研究院研究員劉佩真指出，第三代半導體材料助推功率半導體朝向高頻、高功率
、輕量化發展，例如在電動車應用中，碳化矽（SiC）功率半導體相比於矽（Si）基器件
更可實現輕量化和高效率，而大陸半導體功率半導體業者正在加速布局此領域。