三星電子 HBM 晶片據悉未能通過 Nvidia 測試 因有發熱和功耗問題
2024/05/24 07:38:45
經濟日報 編譯季晶晶／綜合外電
三星電子最新的高頻寬記憶體（HBM）晶片因發熱和功耗問題，尚未能通過輝達（Nvidia
）的測試。
路透報導，根據三位知情人士，這些問題影響到三星的HBM3晶片（這是目前AI繪圖處理器
（GPU）中使用最多的第四代HBM標準），以及這家南韓科技巨擘及其競爭對手今年推向市
場的第五代HBM3E晶片。
三星提供聲明給路透說，HBM是一種客製化記憶體產品，需「根據客戶需求進行優化」，
並補充說，三星正透過與客戶的密切合作來優化產品。該公司拒絕就特定客戶置評。
Nvidia謝絕評論。
Nvidia在全球AI應用GPU的市占率大約是80%，滿足Nvidia的需求被視為HBM製造商未來成
長的關鍵，聲譽或利潤皆然。
三位消息人士透露，三星去年開始一直努力想通過Nvidia對HBM3和HBM3E的測試。其中兩
位透露，最近一次對三星8層和12層HBM3E晶片測試的失敗結果是在4月出爐。
這些問題是否易於解決，目前還不明朗。但三位消息人士說，未能達到Nvidia的要求標準
，增加了業界和投資人的擔憂，三星可能在HBM方面進一步落後競爭對手SK海力士和美光
科技。
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