新聞標題： 再告美光侵犯 11 項專利 長江存儲要求停止在美販售侵權產品
2024/07/20 16:56:50
聯合報 記者林宸誼／即時報導
大陸3D NAND快閃記憶體製造商長江存儲（YMTC），日前再度將美光告上法院，指控美光
侵犯了長江存儲11項專利，涉及3D NAND Flash及DRAM產品。長江存儲還要求法院勒令美
光停止在美國銷售侵權的記憶體產品，同時支付專利使用費。
美國科技網站Tomshardware報導，長江存儲指控稱，美光的96層（B27A）、128層（B37R
）、176層（B47R）和232層（B58R）3D NAND Flash以及美光的一些DDR5 SDRAM產品（Y2B
M系列），侵犯長江存儲在美國提交的11項專利或專利申請。
值得一提的是，2023年11月，長江存儲在美國加州北區地方法院，對美光及子公司美光消
費類產品事業部提告，指控美光侵犯8項與3D NAND Flash相關的美國專利。
今年6月7日，長江存儲由在美國加州北區聯邦地區法院提告，指控受美光資助的丹麥諮詢
公司Strand Consult及副總裁雷頓（Roslyn Layton）散布虛假訊息，破壞長江存儲的市
場聲譽和商業關係。
長江存儲正試圖透過專利來打擊美光，以獲得對抗美國打壓的籌碼。
美國商務部於2022年底將長江存儲列入了實體清單，這使得該公司無法從美國公司獲得先
進的半導體設備來製造領先的128層及以上的3D NAND Flash器件。
儘管受到美國政府的嚴格限制，長江存儲仍繼續努力透過原有的設備，及大陸國產設備發
展3D NAND Flash。該公司的Xtacking 3.0產品依然在奮力的維持生產，並正在開發新一
代的Xtacking 4.0架構的3D NAND Flash。
今年早些時候，長江存儲還宣布，已設法將3D QLC NAND Flash的耐久性大幅提高到3D TL
C NAND Falsh的水準（達到4000個程式設計/擦除周期），這大大改善了廉價SSD的特性。
新聞來源： https://reurl.cc/AjG6DQ