※ 引述《sospeter (￾ ￾ ￾ ￾ ￾N￾  ￾)》之銘言：
: 新頭殼newtalk2014.11.04 柯昱安/綜合報導
: 蘋果（Apple Inc.）iPhone 6 Plus上市至今狀況頻傳，繼機身被折彎的災情陸續出現後，
: 現在又傳出快閃記憶體出包，部分使用者在安裝超過700個應用程式後，系統會不斷死當，
: 或不斷重新開機。韓國媒體指出，若記憶體確實出現瑕疵，蘋果可能會大規模召回iPhone
: 6 Plus。
: 根據韓國媒體《Business Korea》報導，上個月底起就傳出iPhone 6 Plus用戶只要安裝超
: 過700個應用程式（App）後，系統就會不斷死當，或是不斷重新開機，有用戶甚至已經連
: 續更換4部手機，還是無法解決問題，其中，以128GB大容量機型的災情最為嚴重。
: 報導指出，當初蘋果為了減少大尺寸、大容量機型的成本，在128GB的iPhone 6 Plus上，
: 選用了穩定度較差的TLC flash快閃記憶體，其容量為單階儲存單元（SLC）、多階儲存單
: 元（MLC）的2到3倍之多，價格也比較便宜，但TLC的讀取、寫入資料的速度卻不如SLC與ML
: C。
: 韓媒表示，知情人士的說法指出，若最後確定是TLC快閃記憶體導致系統崩潰，無法負荷70
: 0款以上App的數量，蘋果恐將展開大規模的召回行動。
: 新聞來源:http://newtalk.tw/news/2014/11/04/53211.html
http://9to5mac.com/2014/11/04/debunk-128gb-iphone-6-plus-recall-false-crashing
-bug-rare/
根據這篇報導，不要再相信沒有根據的謠言了。
事實上以前ios6 就有類似的問題發生過。
In fact, a similar problem has affected a very small amount of users since as
far back as iOS 6.
蘋果已經知道這個bug的存在，但目前這個bug是和內存記憶體相關的報導都只是推測而且
不準確的。
Sources say Apple is aware of the rare bug, but reports that the problem is re
lated to a NAND flash issue are conjecture and inaccurate.