1.媒體來源:中時
2.完整新聞標題:聯電TSV量產 獲超微晶片訂單
3.完整新聞內文:
晶圓代工廠聯電（2303）昨（20）日宣布，超微新推出的旗艦級繪圖卡Radeon R9 Fury X
，採用聯電直通矽晶穿孔（TSV）技術，並已在聯電新加坡12吋特殊技術晶圓廠Fab 12i量
產出貨。
聯電2013年時將位於新加坡的12吋晶圓廠Fab 12i，打造為引領先進特殊技術研發製造的
基地「Center of Excellence」，該特殊技術中心導入包括包含背照式CMOS影像感測器（
BSI CMOS）、嵌入式記憶體、高壓應用產品、TSV等技術，讓聯電充分掌握跨入新市場的
契機。
超微日前正式發表研發代號為「Fiji」的繪圖晶片，首創將高頻寬記憶體（HBM）整合至
晶片上，並基於Fiji晶片發表新一代Radeon R9 Fury X系列繪圖卡。Fiji晶片是超微採用
全新架構的繪圖晶片，享有史上最高的繪圖晶片記憶體頻寬，首創將HBM整合至晶片上，
帶來較GDDR5高出60％的記憶體頻寬，同時採用嶄新4096位元記憶體介面，每瓦效能為
GDDR5的4倍。
其中，超微Radeon R9 Fury X繪圖卡中採用的繪圖晶片，採用了聯電TSV製程及晶粒堆疊
技術，在矽中介層上連結超微提供的HBM規格DRAM及繪圖晶片。
聯電市場行銷副總暨TSV技術委員會共同主席簡山傑表示，超微致力於將頂尖繪圖晶片帶
入市場，這次量產里程碑彰顯了聯電與超微在TSV技術上緊密合作下的成果，未來聯電期
盼與超微繼續攜手合作。
超微資深院士Bryan Black表示，Radeon R9 Fury X從開始研發到量產階段，聯電皆採用
創新技術打造客戶產品，這是超微選擇聯電合作矽中介層及相關TSV技術的關鍵因素。聯
電此次順利將TSV技術運用在超微最新的高效能繪圖晶片上，再次證明了其堅實的專業能
力，很榮幸能擁有聯電作為超微的供應鏈夥伴，協助推出全新Radeon系列產品。
超微提供的繪圖晶片與HBM堆疊晶粒，皆置放於聯電TSV製程的中介層上，透過CMOS線路重
布層（redistribution layer）與先進的微凸塊（micro-bumping）技術，這些晶片之間
可於中介層彼此連通，因此得以實現Radeon R9 Fury X絕佳的效能與面積。(工商時報)
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http://www.chinatimes.com/newspapers/20150721000142-260204