原文來源：上報
https://www.upmedia.mg/news_info.php?Type=1&SerialNo=222320
原文摘要：
中科院突破氮化鎵元件關鍵技術 AESA
雷達與飛彈尋標器效能躍進
中科院研製防空、反艦飛彈與相列雷達一直
是其武器系統的強項，隨著各國在軍用晶片
開發，從矽元件、砷化鎵，一直到氮化鎵材
料，使相列雷達、飛彈尋標器與通訊系統效
能提升，中科院表示，在突破氮化鎵元件關
鍵技術後，已將該項技術用於主動AESA雷
達收發模組（TRM）或高功率固態功率放大器
（SSPA）發射機；亦運用在各式飛彈的尋標器
上，超過使用砷化鎵元件3倍以上效能。
射頻電子元件技術進化 使雷達系統升級「
可具攻擊能力」
國防武器系統的需求朝著高頻率、高功率、
高可靠度、高精確性、高集積密度、AI智能
化的趨勢發展，在射頻電子元件技術應用，
從矽元件、砷化鎵，一直到氮化鎵材料，就
是追求高頻率、高功率、高可靠度的元件應
用，過去雷達系統被定位為感測（sensor）
目標搜索，不具備主動攻擊能力，但當第三
代寬能帶氮化鎵半導體材料系統被開發後，
讓雷達系統升級具備攻擊能力的高能微波武
器是可期待。
氮化鎵元件關鍵技術突破 提升相列雷達、
飛彈尋標器系統效能
中科院多年研發氮化鎵晶片已具成效，現有
多款雷達及各式飛彈尋標器系統的開發，已
採用氮化鎵元件的技術，例如主動AESA雷
達收發模組（TRM）或高功率固態功率放大
器（SSPA）發射機，將使收發模組可在相同
的空間尺寸限制下，大幅提升相列雷達的效
能，目前美國神盾艦上AN/SPY-6主動相列
AESA雷達及中國最新反隱身雷達（YLC-2E）
等，皆強調採用氮化鎵元件技術。另外，
氮化鎵晶片的技術在飛彈尋標器的應用更是
關鍵，除了因彈內空間尺寸限制更為嚴苛外
，射頻半導體元件頻段越高，射頻功率更難
獲得，目前若在Ka頻段採用氮化鎵元件技術
，單晶片可達10W以上，亦是勝於採用砷化
鎵元件（約3W）技術的3倍以上。
目前中科院透過穩懋公司的代工能量，進行
各式雷達、尋標器、通訊系統所需單晶微波
積體電路（MMIC）、射頻功率放大器等關鍵
晶片的設計開發，掌握這些關鍵晶片我們才
有辦法自主實現AESA雷達；現階段亦持續
積極整合國內半絕緣碳化矽基板、氮化鎵磊
晶能量、穩懋製程代工和中科院晶片設計技
術等，以期在國內建立氮化鎵高功率放大器
晶片的自主產業鏈。
中科院對於軍用更高頻段及更高輸出功率的
晶片開發需求，仍持續往前建立氮化鎵元件
前瞻關鍵技術，亦希望持續結合產業界資源
，積極建立氮化鎵軍用需求晶片開發供應鏈
，逐步掌握毫米波頻段以上的射頻高功率晶
片開發技術，在原有的空間尺寸下，利用氮
化鎵高功率密度、高效率的優勢，取代過去
行波管放大器（TWT）或砷化鎵（GaAs）功率
元件的設計，除了可大幅提升現有各式飛彈
尋標器效能及威脅外，更有助於中科院開發
新世代多模相列尋標器，以及未來的W頻段
微波影像雷達開發。
心得感想：
重點是GaN元件的科技樹點開後，接下來要
點：
1. 下一代對空雷達、2.飛彈尋標器、3. 微波
武器、4. 毫米波影像雷達…