※ 引述《mrme945 ()》之銘言：
做
: 檢驗(Failure Analysis)的結果出來之後才知道可能的原因
: 以下為前述大客戶內線流出關於此故障事件的敘述：
: -這次事件的根源，是作為抗氧化的隔離塗層氮化鉭(TaN)在原
: 子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)的過程中出錯了，
: 造成CPU當中via裡的純銅氧化，使得電阻提升，並造成後續故
: 障***
TaN一般是叫做擴散阻障層
主要作用是防止銅與矽直接接觸
形成銅矽化合物
抗氧化很少聽過
ALD是一種化學氣象沉積
算一種通化學氣體沉積方法
假設這一步出錯
導致部分Ta被氧化
那他的電性應該出廠前就驗出異常
應該不會用了好幾個月後才劣化
假設他有部分氧氣吸附在TaN上
之後再鍍銅那些少量的氧應該也是很快反應掉
另外就是擴散阻障層太薄或不夠緻密
導致IMD(通常是氧化矽）中的氧慢慢滲透進去造成氧化～～但這可能性我覺得不高
因為通常這樣
應該會先形成銅矽化合物（這樣應該會整顆燒掉）
如果隨時間導致電阻升高
那電致遷移有可能～～
不過這應該再RA測試中被抓出來
不過RA我記得都要測好幾個月
可能intel太急了沒做確實吧