曝光顯影與蝕刻
光阻液為照光(UV)會膠結硬化的化學膠
讓照到光的的部分成為下層的保護
透過清洗把未曝光的部分去除達到差異化
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◥██████████◤ 曝光光源
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█▉▉█▊▋▌▌██ 光罩
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█▉▉█▉▊▋▋██ 光阻液
██████████ 晶圓基板
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fig 1. 曝光示意圖
清洗能把未曝光的部分去除
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██████████ 晶圓
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fig 2. 光阻成膜
再進行蝕刻
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██████████ 晶圓
fig 3. 蝕刻後
去光阻
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██████████ 晶圓
fig 4. 線路完成圖
印刷電路板和半導體晶圓差異
尺度 奈米 V.S 毫米至微米
還有立體堆疊的方法 層積 V.S. 壓合
知道半導體製程(上圖並無參雜與沉積的步驟僅以空白晶圓代表)之後
可以發現到台灣的設備廠接觸都大都是周邊次要製程
如清洗 蝕刻(周邊) 搬運
核心部分
如 曝光 沉積(PVD CVD) 大都是外商的天下
檢查設備 (漢微科還算但這股價貴死人 而業界老大KLA也不是吃素的)
電子束很精密
但難伺候的特性你要怎提升turnover呢?
研究可以龜
但生產就是比速度
好好努力吧