原文標題：
三星決心GAA搶先台積電推出 但良率是利潤關鍵
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原文連結：
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發布時間：
2021年9月1日
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原文內容：
三星電子（Samsung Electronics）設備解決方案（Device Solution）業務技術長
Jeong Eun-seung 宣佈，作為下世代半導體製程的核心，將提前實現 GAA（Gate all
around）技術商業化。三星電子計劃從明年 (2022) 開始將 GAA 應用於 3 奈米製程；台
積電預計 2023 年於 2 奈米採用 GAA 技術。
Jeong Eun-seung 在 2021 年 8 月 25 日三星技術暨事業論壇（Samsung Tech &
Career Forum）上發表主題演講時表示，三星目前 GAA 技術領先主要競爭對手台積電，
若能確保技術將有助於推動三星代工業務成長。但是，三星晶圓代工難超越台積電，目前
台積電晶圓代工市場佔有率 53.9%、三星僅 17.4%。
然而，從 GAA 專利技術開發來看，2011 年至 2020 年間，全球 GAA 專利有 31.4% 來自
台積電，三星電子則占 20.6%，IBM（10.2%）和 GlobalFoundries（5.5%）。
GAA 被視為 3 奈米製程的關鍵，未來將被全球半導體代工公司所採用。技術的關鍵是將
在半導體內部充當「電流開關」的電晶體的結構從 3D（FinFET）改為 4D（GAA）。三星
電子稱，在 2019 年曾與客戶進行 3 奈米 GAA 製程設計工具測試顯示，GAA 技術將晶片
面積減少了 45%，並將能源效率提高了 50%。
雖然，三星電子決心要趕在台積電前，將新一代 3 奈米 GAA 製程技術商業化。然而，晶
圓代工良率才是企業利潤的關鍵。根據韓媒報導 (2021.7.4)，三星電子在華城園區廠最
先進的 V1 線，仍存在良率難解問題，5 奈米產品的良率仍低於 50%。這可能與日本化學
輔料有關，由於日本對韓國實施半導體三項關鍵原料管制，造成三星在先進奈米製程的良
率無法提升。
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三星為搶奪代工市場，積極開發GAA技術，誓言搶在對手台積電前將技術商業化，推出3奈
米產品。