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【聯合報╱記者簡永祥／台北報導】 2014.05.22 03:18 am
聯電（2303）追趕先進製程，28奈米低功耗多晶矽氮氧化矽（Poly SiON）製程下月開始
承接聯發科晶片、第3季產出，下半年將陸續導入高介電常數金屬閘極（HKMG）製程，成
為全球第二家提供28奈米HKMG Gate-last製程服務的晶圓代工廠。
聯電28奈米對營運的貢獻即將開始，相關製程發展備受各界關注。聯電去年主力製程以65
奈米以下為主，40奈米占比在去年第4季拉升至20%，增幅達95%；28奈米製程因Poly-SiON
良率提升，已獲聯發科追單，6月將放量投片，第3季產出。
聯電在上傳的股東會營運報告書中強調，為追趕先進製程，去年投資約124.9億元研發支
出，用於發展28奈米Poly SiON及提升28奈米HKMG良率，合作客戶及產品數量持續增加，
產品項目涵蓋行動通訊、運算、有線、無線網路、數位電視、資料儲存控制器，以及可程
式邏輯元件等各項應用。
至於14奈米以下的尖端技術，聯電加入IBM技術開發聯盟，共同開發10奈米CMOS製程技術
，並藉由IBM的支援與關鍵製程，提升內部研發的14奈米FinFET技術，針對行動運算與通
訊產品，提供低耗電優化技術。
聯電昨天股價下跌0.1元，以13.2元作收。