半導體設備大廠美商應材公司今日宣布推出最先進的3D晶片架構的離子植入技術，將可提
升半導體20奈米以下的FinFET（鰭式場效電晶體）良率提升，預料將有助台積電20奈米及
16奈米良率提升，加速對營收貢獻。
應材表示，這項命名VIISta 900 3D系統是業界最先進的中電流離子植入機台，除應用製
造次20奈米以下的FinFET製程外，也可應用生產3D儲存型快閃記憶體（NAND Flash）。
應材強調，這套系統在精密材料工程設計方面採用多項創新技術，可提升元件效能、減少
變異性，並讓日漸複雜的高效能、高密度3D元件良率大幅增加，尤其對行動裝置產品所的
CMOS影像感測器中的發光二極體及邏輯元件結構，是最佳的製程選擇。
http://udn.com/NEWS/BREAKINGNEWS/BREAKINGNEWS6/8777006.shtml