[請益] 關於D ram 廠目前的device hellowworld PTT批踢踢實業坊

作者: hellowworld (hello~world) 2015-05-12 23:41:22

眾所皆知，d ram 廠的微縮速度比ㄧ搬晶圓
代工廠快，那想請問現在在d ram 廠的RD
devices team ，以後d ram 也會用finfet
device, 或是繼續跟著台積device 10/7
nm 的走向嗎？

作者: hotsaucecing (熊熊王子) 2015-05-13 00:05:00

不會

作者: hellowworld (hello~world) 2015-05-13 00:15:00

請問樓上，那還是用planer mosfat嗎？那這樣如何微縮下去呢？

作者: FinFET (al) 2015-05-13 00:46:00

會問這問題表示你不熟元件

作者: FayX (不要服爾而讓....) 2015-05-13 00:52:00

FinFET本人都出來了!!

作者: sugoi5566 (斯勾以內 Asia No.1) 2015-05-13 01:13:00

Capacitance 和 transistor 不同

作者: Godmyfriend (XD) 2015-05-13 01:19:00

Field Effect Transistor 抱歉有錯字就想糾正的習慣

作者: outzumin (阿呆銘) 2015-05-13 06:16:00

基本元件不同FinFET vs floating gate FET m06xu3u,31j4原理也不同 FinFET要降漏電 floating gate要調VthDRAM用FinFET要怎麼存資料?作業自己寫吧

作者: hellowworld (hello~world) 2015-05-13 11:04:00

想問的是說，以往當做d ram開關的 MOSFET 會被新的finfet之類來取代了嗎？

作者: jannine (小肥羊) 2015-05-13 12:27:00

為什麼要空那麼大一格..

作者: octy (only) 2015-05-13 16:24:00

應該是拉長音的概念~

作者: maja5 2015-05-13 20:19:00

現在cell transistor 就已經是類似finFET的概念了6F2早就脫離planer transistor的設計了

作者: sambible (Sameal) 2015-05-14 00:40:00

我待过imi 跟ntc 6f2 有脫離嗎？MU 是利用斜排放式擠6f2Dram 跟flash 算HF logic 算min size但是目前台灣 T & U 微影製程屌打台灣dram, 眾所皆知

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