作者:
pf775 (pf775)
2016-01-21 23:42:08http://chinese.joins.com/big5/article.do?method=detail&art_id=146663
三星電子量產速度提高7倍的DRAM
孫海容 記者 2016.01.20 14:04
超高速DRAM使三星電子的半導體技術進一步得到進化。三星電子1月19日宣布正式開始比現
在的DRAM提速7倍的第二代“4GB HBM2 DRAM ”。
DRAM是協助計算機的大腦CPU在進行演算時寫入和抹除數據的設備，DRAM的數據處理速度
越高，電腦的性能也會得到相應提高。
三星電子計劃通過量產4GB HBM2應對高性能計算（HPC）、高性能顯卡等信息技術（IT）
設備的需求。
三星電子消息稱，這一新產品使用了在DRAM芯片上打穿5000多個小孔進行上下連接的硅通
孔（TSV）技術，與以往利用金線連接上下層的方式相比，數據通道更多，可以提高處理
速度。4GB HBM DRAM每秒可傳輸256GB信息，比同屬4GB級別的GDDR5處理數據的速度快7倍
。
作者: linussp (行魚) 2016-01-21 23:52:00
有點強
作者:
s992649 (哲儒)
2016-01-21 23:58:00華邦 美光 GG
作者:
sasako (這世界太缺乏歡樂)
2016-01-22 00:05:00美光 intel 的Xpoint 號稱快NAND FLASH1000倍 三星恐怕是
作者:
sasako (這世界太缺乏歡樂)
2016-01-22 00:06:00凶多吉少 而且擁有NAND FLASH沒有的優點今年Q3聽說就會上市...
作者:
q169 ( )
2016-01-22 00:23:00華邦有些dram都找天后宮代工了.....標準,利基型有差
作者:
asin404 (asin404)
2016-01-22 00:42:00樓下台灣文青表示：台灣早就有了 韓國三星是copy cat 只靠寫手誇大他的技術
作者: Jacoby (暱稱是什麼~可以吃嗎???) 2016-01-22 00:57:00
完全不同的東西啦！三星是GDDR, Intel的是storage
xpoint有壽命上限啦 用在ram速度要跟上外 次數也是一個問題啦三星這個跟HMC還比較像哩 總之就是pin多了
作者:
maypcc (The K)
2016-01-22 07:37:00拿nand和ddr來比，就知道是門外漢
也不算完全門外漢 實情就是 有很多人在考慮兩者合用的可能性了 尤其是一些 mobile應用上
dram複寫的頻率高的嚇人,flash當dram用沒多久就掛了更不用說速度也慢上一截.
作者:
dakkk (我是牛我反芻)
2016-01-22 09:03:00當然會有架構呀 前面回檔dram 比較後不同的才會寫入 有看過這種paper還有就是雙ram dram休眠時寫入 flash 說別人不懂 自己又董多少
作者: SigmaLIU 2016-01-22 09:48:00
感覺挺威的
作者: tmr159 (義) 2016-01-22 13:44:00
揮發性與非揮發性用途不同，不用拿來比吧…
作者:
maypcc (The K)
2016-01-22 16:00:00就像拿ramdisk和hardisk來比一樣無腦
作者:
willism (hpc5)
2016-01-22 20:47:00台灣唯一夠格的dram產業已經賣掉了，剩下都雜魚