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三星電子量產速度提高7倍的DRAM
孫海容 記者 2016.01.20 14:04
超高速DRAM使三星電子的半導體技術進一步得到進化。三星電子1月19日宣布正式開始比現
在的DRAM提速7倍的第二代“4GB HBM2 DRAM ”。
DRAM是協助計算機的大腦CPU在進行演算時寫入和抹除數據的設備,DRAM的數據處理速度
越高,電腦的性能也會得到相應提高。
三星電子計劃通過量產4GB HBM2應對高性能計算(HPC)、高性能顯卡等信息技術(IT)
設備的需求。
三星電子消息稱,這一新產品使用了在DRAM芯片上打穿5000多個小孔進行上下連接的硅通
孔(TSV)技術,與以往利用金線連接上下層的方式相比,數據通道更多,可以提高處理
速度。4GB HBM DRAM每秒可傳輸256GB信息,比同屬4GB級別的GDDR5處理數據的速度快7倍
。