【范中興╱台北報導】晶圓代工廠聯電（2303）在先進製程有突破，聯電的股東會營業報
告書中指出，去年28奈米製程業績為前年的4倍，業績比重為10.3%，至於14奈米製程，聯
電除提升內部自行研發的鰭式場效電晶體（FinFET）技術，並與客戶合作，完成高效能
FinFET元件開發，SRAM良率已突破瓶頸。
6月7日股東常會
聯電將於6月7日召開股東常會，營業報告書去年在先進製程有不錯進展，28奈米製程業績
為前年的4倍，業績比重為10.3%，40奈米以下比重提升至34%，較前年拉升9.8個百分點。
聯電表示，去年投入121.75億元研發費用，強化研發與製造能力，持續優化28奈米製程技
術，成功開發出低漏電元件，並導入量產，大幅提升客戶產品競爭力。至於14奈米製程方
面，聯電除提升內部自行研發的FinFET技術，並與客戶合作，完成高效能FinFET元件開發
，SRAM（靜態隨機存取記憶體）良率已突破瓶頸。
在特殊技術應用方面也有不錯進展，聯電40奈米嵌入式快閃記憶體技術已進入驗證，並與
客戶持續進行28奈米嵌入式快閃記憶體開發；3D IC部分，成功開發出TSV（
Through-Silicon Via，直通矽穿孔）已進入量產；另外，聯電微機電（MEMS）客製化麥
克風元件也已累積出貨超過2億顆規模。
聯電去年獲利134.5億元，每股純益1.08元，董事會決議配發0.55元現金股息。而股東會
也將討論12.75億股私募案，聯電指出，為尋求與國內外廠商進行半導體技術合作或策略
聯盟機會，同時充實營運資金以因應未來營運所需，惟目前仍無具體方案。
http://www.appledaily.com.tw/appledaily/article/finance/20160519/37222911/