[請益] 台GG面試題目值得深思的小問題 nicky1245 PTT批踢踢實業坊

作者: nicky1245 (c8c8c8) 2016-06-14 18:14:06

各位大大好
我今天在台積電面試的題目，看起來很簡單，但是滿值得思考的問題。

作者: maxshao (心若冰清) 2016-06-14 18:20:00

我記得老師有說過空乏區好像有一個最小值，並不會消失，至於為什麼，老師也沒講很清楚，求高人解答！

作者: peter308 (pete) 2016-06-14 18:32:00

你是中國人嗎?大注入 PN結電阻好像都是對岸用法

作者: ljsnonocat2 (平凡是幸福) 2016-06-14 18:38:00

元件物理

作者: mlda888 ((╭￣3￣)╭♡ ) 2016-06-14 18:54:00

不難~半物就有教了

作者: HardyJJ (JJHardy) 2016-06-14 19:21:00

電子學沒念哦沒差拉，主管喜歡你，會說進來再學就好

作者: peter308 (pete) 2016-06-14 19:26:00

台灣的公司為什麼找大陸人面試台灣人啊? @@

作者: billy18 (帥哥) 2016-06-14 19:26:00

自己的作業自己寫

作者: h5904098 (LBJ IS GOD) 2016-06-14 19:45:00

為啥pn內建位障是0.7？那不是是導通電壓？

作者: pepeengle (W) 2016-06-14 19:57:00

你先去補大碩

作者: j2222222229 (j2222222229) 2016-06-14 20:10:00

有點看不懂內鍵0.7V怎樣假設不消失

作者: morrismos (keyway) 2016-06-14 20:13:00

順偏電壓下，P型能帶下彎，N型能帶上彎，導電載子所需跨越的電位障視兩段摻雜濃度而定。空乏區不會消失且會窄於熱平衡時的寬度，載子不斷地向彼此進行擴散，內建電場的形成是為了抵制兩端載子的擴散。

作者: j2222222229 (j2222222229) 2016-06-14 20:14:00

應該是pn導通視同電阻，所以2.3給這個電阻

作者: morrismos (keyway) 2016-06-14 20:55:00

假設單邊陡接面(P+N)情況下，電壓可幾乎於N型空乏區與與N型本體電阻上壓降幾乎橫跨在N側空乏區與N型半導體的本體電阻上(相對高阻值)，因為濃度與阻值成反比

作者: Narcissuss (太神拉~) 2016-06-14 23:48:00

0.7 不是用背的嗎

作者: ljsnonocat2 (平凡是幸福) 2016-06-15 00:06:00

wiki查到的圖我猜應該是問這個http://tinyurl.com/gszd5qp其實如果不是做device 元件物理根本幾乎用不到

作者: jonathan0207 (放開那個大葉) 2016-06-15 05:26:00

剩下的2.3V應該是金屬+PN接面準電中性區域的等效電阻特別是PN半導體摻雜濃度越低，電阻值越高

作者: Shepherd1987 (夜之彼方) 2016-06-15 19:14:00

會燒掉吧... 不然就被clamp current限制住，電壓加不上去理想狀態的話能障在0.7V+時被克服 N+P+部分就像一根電阻～2.3V等於極大I乘上極小R

作者: blacker1019 2016-06-16 01:25:00

據我所知gg面試從來沒有問過半導體相關問題

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