大陸大基金奧援記憶體發展 紫光欲鞏固半壁江山
2017/01/20-梁燕蕙
大陸國家集成電路產業基金(大基金)成立2年多來，尤其是觀察大陸半導體2016年的發展
，或可列舉3項大事凸顯目前大陸半導體產業的進程：一、在於大陸境內遍地開花的晶圓
廠建設；二、在於大陸記憶體產業三雄鼎立，挑戰美日韓枕戈待旦；三、在於大陸IC設計
企業數量光是在2016年期間，倍增高達1,300多家，其發展態勢劍指美台兩大IC設計產業
重鎮。
無巧不巧的是，2016年底正值眾人切切迎接跨年新春到來之際，12月30日，長江存儲的大
陸國家記憶體基地和華虹集團旗下華力微電子二期12吋晶圓廠生產線，這兩項持續受到業
界關注的半導體產業重大計畫，選在同一天舉行了開工動土儀式。
基金推動大陸晶圓廠建設步入高峰期
值得注意的是，從2016年底起華力微電子和中芯國際相繼興建12吋廠全新產線、擴充產能
，在大基金的推動下，大陸晶圓廠建設步入高峰期，國際半導體產業協會公布的2016~2017
年全球新建晶圓廠至少19座，其中有10座位於大陸，而除了總投資人民幣387億元的華力
微電子二期12吋廠計畫，日前在上海開工外，中芯國際深圳12吋廠也於日前啟動，成為華
南地區第一條12吋生產線，預計2017年底前投產。
另根據SEMI最新關於全球晶圓廠預估報告顯示，估計在2017~2020年間，全球將有62座新
的晶圓廠陸續投產，大陸在同時將有26座新建的晶圓廠投入營運，佔了全球新增晶圓廠的
比重高達42%，而美國和台灣在同一期間新增晶圓廠合計為19座。
隨著大陸《國家集成電路產業發展推進綱要》的執行，大陸半導體產業掀起高速發展的投
資熱潮，而長江存儲與華力微電子也是大陸半導體大基金斥資超過2家公司40~50%股權比
重的重點計畫。長江存儲可說是大陸境內最大的記憶體產業發展計畫之一，鎖定3D NAND
Flash技術，預計紫光這項投資總額高達240億美元的全球最大3D NAND Flash晶圓廠建成
後，將可望扭轉大陸記憶體產業擁有龐大市場、然缺乏產品產能的窘境。
基金搭橋長江存儲國家級記憶體基地 趙偉國儼然躍居陸半導體政策主導者之一
紫光集團先前欲購併美光科技(Micron)、與SK海力士洽談授權最後都無疾而終，最終與獲
得大陸記憶體統籌資源的武漢新芯合併，進一步成立長江存儲公司。若依照紫光集團兼長
江存儲公司董事長趙偉國的說法，他認為當前記憶體晶片佔了整體半導體產業產值約在
25%以上，而隨著行動網路、大數據(Big Data)以及雲端運算的發展，對記憶體晶片的需
求勢必水漲船高，未來5年，記憶體晶片產值佔比可能上看超過45%，因此，對大陸來說，
發展半導體產業若不涉足記憶體領域，恐將失去半壁江山。
在大基金的牽線下，2016年7月紫光集團宣布收購武漢新芯(XMC)50%以上股權，成立長江
存儲技術公司，武漢新芯成為長江存儲旗下的全資子公司，此舉避免重複投資、實現各方
優勢資源共享。公司註冊資本分兩期出資，第一期由大陸半導體大基金、湖北國芯產業投
資基金和湖北省科技投資集團有限公司共同出資，由趙偉國擔任長江存儲董事長，國家集
成電路產業投資基金股份有限公司總經理、也是大基金的操盤手丁文武擔任長江存儲的副
董事長一職，前中芯國際營運長楊世寧擔任總經理。
值得注意的是，丁文武與趙偉國的丁趙聯手，不僅在某種程度上象徵著先前互搶資源、隱
然存有瑜亮情結的兩人在大陸官方強力明示暗示要求下捐棄前嫌，支持大陸記憶體產業應
由紫光主導，才將更具有競爭力，而趙偉國這個長江存儲董事長的新身分，也似乎代表他
已經躍居大陸國家半導體政策的主導者之一。
大陸記憶體勢力崛起 恐改寫全球版圖格局
第二期將由紫光集團和大基金共同出資，紫光集團將持有武漢長江存儲科技有限公司超過
50%的股份，而其他股份則多由大陸半導體大基金所持有，顯見紫光集團所打造位於湖北
的大陸國家級記憶體產業基地，儼然有著大陸官方的強力奧援，2016年底長江存儲興建首
座12吋廠，在Spansion技術授權下，最快可望在2017年底產出32層堆疊3D NAND Flash晶
片，帶領大陸擠進NAND Flash領域。
記憶體產業已經成為大陸官方投資的重要方向，企圖實現從無到有的格局，有鑑於大陸記
憶體產業係奠定在當地市場需求快速增長的基礎上。就以NAND Flash來說，由於行動裝置
需求的快速成長，以及伺服器、資料中心的大量建置，預期大陸市場在NAND Flash消耗量
佔全球的比重，將於2017年達到3成以上，估計到了2020年將超過4成。
然而以現階段來說，大陸記憶體晶片卻是半導體四大產品類型中自給率最低的部分，而未
來大陸記憶體勢力的崛起，勢必將改寫全球記憶體版圖的格局，事實上，美光執行長
Mark Durcan日前來台完成華亞科收購案時便提出示警。
他認為假使大陸當真支出其信誓旦旦所宣示的資金來擴充記憶體產能，極有可能導致記憶
體市場產能過剩惡夢重演，雖說未來記憶體市場需求仍可望擴增，展望未來18個月的市場
前景相當樂觀，但眺望1年半以後的市場需求，約在2017年底到2018年間陸廠陸續投產後
，大陸擴充記憶體產能此舉，絕對值得令人關切。
大陸記憶體分三路進擊 長江存儲、福建晉華、合肥長鑫切入NAND與DRAM
觀察大陸發展記憶體分三路進擊，除了由武漢新芯合體組成的長江存儲，以及台灣聯電相
助的福建晉華記憶體基地計畫，第三股勢力在兆易創新與前中芯國際執行長王寧國主導的
合肥長鑫合作下，也蠢蠢欲動；長江存儲先從3D NAND Flash切入，但在DRAM進展上，雖
浮現與美光(Micron)洽談技轉傳聞，還未有眉目，然紫光從台灣華亞科延攬來的前董座高
啟全，另有消息傳出正招兵買馬、透過人脈挖角台灣DRAM相關人才，或為DRAM建廠預作準
備。
至於在DRAM進展有較大突破的為福建後起勢力，福建省政府於2016年5月間宣布，其所投
資的晉華集成電路已與台灣聯電簽訂技術合作協定，由聯電接受晉華委託開發DRAM相關製
程技術，生產利基型DRAM，該聯電團隊由美光台灣區前總經理、現任聯電資深副總陳正坤
領軍，而福建晉華於7月間建廠12吋廠奠基的同時，也已經在台灣南科建立小規模試產線
，估計2017年底完成技術開發、2018年下半試產，並預計在2019年以前將產線轉移至福建
晉華新建晶圓廠投產。
值得注意的是，表面上，大陸國家集成電路產業投資基金雖然並未在第一線金援福建晉華
記憶體計畫，然實際上大基金早於2016年2月間便投資福建安芯產業投資基金人民幣25億
元，支持福建半導體產業發展，例如晉華記憶體開發計畫便是。
大陸記憶體產業發展第三勢力則是位於合肥，這股欲起的DRAM勢力在前爾必達(Elpida)社
長阪本幸雄淡出合肥後，由大陸本土NOR Flash廠商兆易創新(GigaDevice)與中芯國際前
執行長王寧國所主導，2016年10月，合肥長鑫集成電路有限責任公司長鑫12吋記憶體晶圓
製造基地計畫初次環境評估揭示，顯示合肥發展記憶體產業該計畫投資金額接近人民幣
500億元，目前兆易創新將與武岳峰等大陸基金購併的美國半導體廠矽成(ISSI)合併，成
為在湖北長江存儲以外，大陸另一家DRAM/Flash發展兼具記憶體廠商。
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