由於這是個很有意思的題目，所以我稍微搜尋了一下相關的文獻
又由於蔽人在下我的英文很爛，且這不在我的專業領域內,若有錯誤請幫忙指正，若是有
這方面專業者請不吝指教
我使用的初始關鍵字為cobalt damascene(以下我簡稱為鈷製程),然後由reference搜尋到
相關的文獻,大致上說的是copper damascene(以下簡稱銅製程)在10nm世代終結(這裡的世
代就如同台積的16,10,7nm,非指damascene的pitch)
雖然說銅的電阻率比鈷還低很多，但是銅製程中的阻障層(barrier)並不容易再減少厚度
，在銅電鍍的過程中會因為可填入銅的體積劇減，產生空隙(void)
因此10nm以下,需要改進阻障層的材質或是採用新的導體，也就是鈷
由於鈷可以使用無電電鍍底部成長型填充製程(electroless bottom up fill in),可以製
造
出無空隙(void free)導線，因次可藉次取代銅製程
對於一般半導體廠，銅製程依舊是最佳選擇，因為銅的電阻率比鈷低很多
對於台積、英特爾、***來說(我該提聯電嗎？),更先進的製程或許會採用鈷製程
而最有潛力的運用商，會是DRAM廠
在高深寬接觸窗( high aspect ratio contact)的金屬填充上，底部成長型填充是非常有
吸引力的誘因
以上，提供給想知道更多的人一點個人所知的訊息