※ 引述《doourbest23 (miaw)》之銘言：
: 如題
: 請問大大知道Pattern Density effect嗎?(也有人稱為Loading effect)
: 知道Pattern Density與u-trench/fence/facet的關係嗎?
: Pattern Density 與EPD(End point detection)之間有何關係嗎?
鍵盤工程師大概講一下 有講錯的話請專業人士出來指正感謝
Loading effect在蝕刻過程指的是pattern的分布差異在蝕刻過程中造成的
蝕刻速度, sidewall polymer沉積速率的影響.
比如說, 現在蝕刻的圖形是孔洞(Via hole), 在孔洞密集分布的區域和孔洞
分散的區域蝕刻時的速度和sidewall polymer沉積速率的表現是不一樣的.
ex: 密集分布區 孔洞分散區
O O O O O O
O O O O O
O O O O O O
O O O O O
O O O O O O
這兩種不同的圖形polymer沉積表現會不同.
想像polymer是灰塵, 同樣數量的灰塵掉下來在左邊的圖形 和右邊的圖形區域
最後單一孔洞裡兩邊的灰塵數量一定是右邊比較多.
因為灰塵被均勻分散到一大堆的孔洞裡了.
這裡舉的例子是所謂的Macro loading effect. 就是在圖形密集/分散的表現差異.
Micro loading effect則是圖形的大小差異造成
ex: 大洞洞 小洞洞
○ 。
一看就知道小洞洞比大洞洞容易被sidewall polymer(灰塵)
塞滿滿的弄得不要不要的然後就etch stop了對吧?
Pattern Density與u-trench/fence/facet的關係請問知道的人 u-trench/fence/facet
這個我不熟
Pattern Density 與EPD(End point detection)之間關係
以line etch舉例, Pattern Density越高表示整片wafer要蝕刻的區域越小, EPD秒數
會越短, 因為要蝕刻的區域少.反之要蝕刻區域越多EPD就要花更長時間才行.
大概4這樣 給你作參考