美告聯電竊密擬罰6,000億 3台灣人最重恐坐牢15年
聯合報
美國司法部長塞辛斯前(1)日宣布,起訴中國大陸國營福建晉華積體電路公司、台灣的
聯華電子公司,以及三名台灣人,控訴他們涉嫌共謀竊取美國半導體業者美光科技公司(
Micron)商業機密,估計價值達87.5億美元(約新台幣2,711.6億元)。
美方並提起民事訴訟,要求禁止聯電或晉華使用涉嫌被竊商業機密所生產的任何產品出口
至美國。
塞辛斯表示,若罪名成立,被告將面臨最高15年監禁與500萬美元(約新台幣1.55億元)
罰款,公司則可能面臨沒收非法所得與超過200億美元(約新台幣6,198億元)罰款。
塞辛斯、美國聯邦調查局(FBI)局長雷伊等人宣布成立新的執法行動計畫「中國專案」
,以應對中國通過網路攻擊或內部人員竊取機密資料的經濟間諜活動。塞辛斯表示,大陸
針對美國進行的經濟間諜活動愈來愈多且迅速增加,美國忍無可忍,聯邦調查局、司法部
的國家安全部門以及聯邦檢察官將加強執法。
根據司法部的說法,晉華是由中國政府資助的國有企業,專門設計和製造動態隨機存取記
憶體(DRAM)。中國在涉嫌盜竊之前並沒有掌握DRAM技術,中國已將該技術的發展指定為
國家經濟優先事項。
美方也提出民事訴訟,要求下令禁止進一步轉移被竊取的商業機密,包括禁止晉華與聯電
以相關商業機密所製造的產品輸往美國。
涉案的三名台灣人分別為陳正坤、何建廷、王永銘。陳正坤曾任職美光公司旗下台灣美光
中科廠總經理,後來跳槽聯電擔任資深副總經理,2017年出任晉華積體電路總經理。美國
檢方指出,陳正坤招募許多原美光子公司的員工跳槽聯電,包括何建廷和王永銘,這兩人
都竊取了美光與DRAM設計和製造相關的商業機密。陳正坤安排了聯電與晉華之間的協議,
由聯電向晉華轉讓DRAM技術以進行批量生產,該技術由兩家公司共同分享。
美光、聯電與晉華去年起互相提出多項訴訟,美光去年起訴聯華電子和晉華,聲稱它們竊
取商業機密。聯華電子今年1月對美光提起法律訴訟,指控美光在中國侵犯聯電存儲器和
其他產品相關的專利。今年7月,中國法院暫時禁止美光晶片在中國銷售。
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美國一出手
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