日經：中國記憶體晶片產量 明年將佔全球5％
自由時報
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〔財經頻道／綜合報導〕按《中國製造2025》規劃，中國擬在2020年實現晶片自給率40%
，而有消息人士透露，受迫於美國的貿易制裁，中國在記憶體晶片生產方面，有望從去年
幾乎為零的產量，在2020年底前達到全世界產量的5％。
《日經新聞》今（20）報導，消息人士透露，中國晶片業在美國貿易制裁壓力下，正加緊
記憶體晶片生產，如中國記憶體晶片廠長江存儲預計，於2016年開始建設並耗資240億美
元的武漢新工廠，到明年年底的NAND Flash快閃記憶體月產量將增加3倍，達每月6萬片晶
圓，約佔世界總產量的5％。
同時，長鑫儲存技術（Changxin Memory Technologies）也計畫在位於合肥的工廠中，將
DRAM晶片的月產量增加4倍，達每月4萬片晶圓，佔世界DRAM產量的3％。
一位消息人士表示，目前中國都在小規模生產NAND Flash快閃記憶體和DRAM晶片，但生產
品質正在提高，從現在到明年，中國的公司肯定都在擴大生產。
長江存儲拒絕評論其產量，只稱該公司已於9月開始生產64層NAND Flash快閃記憶體，並
將根據公司的計畫增加產量。長鑫儲存技術拒絕發表回應。
據報導，NAND Flash快閃記憶體和DRAM晶片生產，目前均由美國、南韓和日本的製造商主
導，如三星電子、SK海力士、美光和Kioxia（舊稱東芝記憶體），而兩種晶片全世界的總
產量，每月約130萬片晶圓。