日本Rapidus和法國Leti合作往1奈米製程前進，這一合作將成為日本半導體復甦的關鍵
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Rapidus、東京大學將與法國半導體研究機構Leti合作，共同開發電路線寬為1奈米級的新
一代半導體設計的基礎技術。
合作夥伴預計於2024年將正式開展人才交流和技術共用。Leti將貢獻其在晶片零組件方面
的專業知識，以建構有利於提高自動駕駛和AI性能的1奈米產品的基礎設施。
Rapidus已與IBM和比利時研發集團Imec合作，實現2027年量產2奈米晶片的目標。預計1奈
米半導體最快將在2030年代以後開始普及。與2奈米相比，1 奈米技術可將功效和運算性
能提高10%至20%。
IBM也考慮在1奈米領域進行合作。跨越日本、美國和歐洲的跨境合作夥伴關係預計將為下
一代晶片帶來穩定的供應鏈。
2022年，Rapidus、東京大學和其他日本國立大學與日本理化學研究所共同成立了尖端半
導體技術中心（Leading-Edge Semiconductor Technology Center；LSTC）。2023年10月
，LSTC與Leti簽署了一份諒解備忘錄，探討合作。LSTC 和Leti希望建立設計採用1.4奈米
至1奈米製程製造的半導體所需的基本技術。 製造1奈米產品需要不同的電晶體結構，而
在該領域，Leti在薄膜沉積和類似技術方面實力雄厚。
Leti主導研究新的電晶體結構，LSTC將合作評估和測試原型，以及派遣人員。 對於傳統
的晶片元件結構，超過一定程度的小型化會降低功率效率並限制性能提高的範圍。
日本在1奈米範圍內的半導體設計開發方面沒有本土的專業知識。有鑑於此，Rapidus和其
他日本利益相關者設想透過聯合研究和進口1奈米設計技術與海外研究機構和公司建立關
係。這也是為什麼Rapidus於2022年在日本政府的支持下成立的原因。
麥肯錫 (McKinsey & Co.) 表示，到 2030 年，全球半導體市場預計將達到 1 兆美元。
其中，先進製程將成為最競爭的領域。根據研究顯示，三星電子和台積電預計將於2025年
大規模生產採用2奈米技術的晶片。至於英特爾也計劃於2024年開始採用1.8奈米製程製造
晶片。
日本的Rapidus也預計將於2025年4月啟動一條生產2奈米產品的試產線。該公司計劃於
2027年在北海道大規模生產2奈米半導體。
總之，為了不落後於台灣、韓國和美國在先進半導體製造技術，日本決定採取行動於2030
年之前進入先進半導體製造領先群。畢竟，未來的AI和自動駕駛產業的競爭是一個國家科
技的核心，半導體扮演著關鍵性的角色啊！