大幅縮短記憶體進程！傳長鑫存儲開始量產 HBM2
https://technews.tw/2024/08/05/cxmt-begins-mass-producing-hbm2-memory/
市場消息傳出，中國記憶體大廠長鑫存儲開始量產 HBM2 記憶體，若消息屬實，比預期時
間早約兩年，但未確定 HBM2 良率。
外媒 Tom′s Hardware 報導，長鑫存儲開始採購製造 HBM 設備，大概需一至兩年才能量
產。長鑫存儲已向美國和日本供應商訂購設備，美國公司應材和科林研發（Lam Research
）都獲出口許可。
HBM2 每訊框傳輸速率約為 2~3.2GT/s，生產產品不需最新曝光技術，但需先進封裝。首
先，使用矽穿孔（TSV）垂直連接記憶體零組件過程已經相當複雜，還需要將 HBM KGSD（
已知良好晶粒堆疊）模組進行封裝，比 10 奈米製程傳統 DRAM 晶片更複雜。
長鑫存儲 DRAM 仍落後美光、三星和 SK 海力士，後三者開始量產 HBM3 及 HBM3E，準備
幾年內推進至 HBM4。
華為 Ascend 910 系列處理器為 HBM2 記憶體，對中國來說，HBM2 是先進 AI 和 HPC 處
理器的關鍵，本地製造更是件大事。