※ 引述《scitamehtam (新竹恐牙狼)》之銘言：
: ASML強敵來了！陸「EUV關鍵技術」大突破 下一步國產曝光機？
: https://www.chinatimes.com/realtimenews/20250118000073-260410
: 哈爾濱工業大學（哈工大）近日宣布，已成功研發出13.5奈米極紫外光（EUV）光源技術
: ，打破此領域由美國企業壟斷的局面，也為大陸的國產EUV曝光機製造點亮了一線曙光。
: 此消息一出，對於掌握EUV曝光機主導地位的ASML（艾司摩爾）來說始料未及，該公司先
: 前曾強調，EUV機台的開發仰賴超過40個國家、數百家供應商技術的匯集。
發表一些自己的看法，給大家批判。
先說我自己的結論：
中國在科研領域確實有一些成果，但和ASML的差距仍然是非常的巨大。
ASML的CEO之前說『和西方的差距有10-15年』其實並不誇張。[1]
首先哈工大並沒有像ASML一樣，完全地掌握EUV光源技術，
這個甚至很多中國的自媒體都有提到。
EUV的光源系統有多條技術路線：
1. 同步輻射
2. FEL
3. LPP
4. DPP
5. LDP
其中LPP和DPP是比較有商用可能性的，目前ASML的EUV光源系統採用的LPP技術路線，
而哈工大取的進展的是ASML曾經捨棄的DPP路線，
而且這僅僅是在DPP的研究上取得一些成果，距離可以商用，並且用於量產，
可能還需要很長的一段時間。
所以我們才說哈工大並沒有完全地掌握EUV光源技術。
那中國要掌握EUV光源技術大概需要多久呢？
我們可以參考過去技術突破的一些案例。
比方說幾週前大日本印刷DNP有技術突破，開發出給High-NA EUV用的1奈米光罩[2]，
但同時也提到預計在2027年才能用於2奈米的量產，並在2030年才能用於1奈米的量產。
又比方說在2023年底，佳能開發出號稱可以用於2奈米壓印(NIL)設備，
但目前僅鍇俠用於15奈米的NAND快閃記憶體製造上，
並且計劃在2025年用於5奈米的NAND快閃記憶體製造， [3]
並沒有提到NIL什麼時候可以用在2奈米的量產。
所以一個技術的突破，到可以商用量產，花個3-5年，那是很正常的。
更何況哈工大取的進展的是ASML曾經捨棄的DPP技術路線，
還不是目前正在用的LPP技術路線。
如果中國能花5年追上ASML目前的EUV光源技術，那已經是很了不起的成就了。
但那也僅僅是突破光源技術而已......
EUV曝光機有5000+個供應商，數10萬個零部件，光源技術僅僅是EUV的核心零件之一。
EUV曝光機的核心零件包含但不限於：
光源系統：美國Cymer，日本Gigaphoton
鏡頭：德國蔡司
光罩：美國Photronics，日本DNP
雙工作台：日本東京威力科創
真空儀器儀表：美國BrooksAutomation
離子注入機套件：美國AxcelisTechnologies
…等等
台灣的漢微科和信邦電子也都有提供零部件給ASML。
而這些提供零部件給ASML的公司，很多都是該領域的一方之霸。
所以人們才說EUV曝光機是皇冠上的珍珠，是人類智慧的結晶，
很難由一個國家單獨製造出來。
當然，這5000+個供應商，中國未必全部都要攻克，
也許有些零件不在制裁清單上面，用買的也可以。
如果中國在5-10年內做出一台EUV的樣機，
我並不會感到太訝異(但從樣機到可以量產，可能還要再花個3-5年)
因為尼康就曾在2007-2008年左右就做出EUV的樣機， [4]
只因研發成本昂貴，又無法在商業上取的進展，最終放棄了EUV的開發。
我的結論是，中國在科研領域確實有一些成果，但和ASML的差距仍然是非常的巨大。
ASML的CEO之前說『和西方的差距有10-15年』其實並不誇張。[1]
如果中國有無限的資金，花個10-15年趕上現在的ASML，也許真有可能。
Reference:
[1] https://reurl.cc/5DEV8z
[2] https://reurl.cc/M6G9Rk
[3] https://biglegsrabbit.blogspot.com/2025/01/nil.html
[4] https://www.163.com/dy/article/HVFS9PFI0553OSM3.html